ru en
Институт перспективных систем передачи данных Мегафакультет компьютерных технологий и управления
Науке нужен ты!
Поступление в магистратуру без экзаменов

Науке нужен ты! Поступление в магистратуру без экзаменов

Подробнее
ПРОЕКТ: Рентгеновские лазерные технологии в нано- и биоматериаловедении

ПРОЕКТ: Рентгеновские лазерные технологии в нано- и биоматериаловедении

Подробнее

    Направления исследований Направления

    Численное моделирование оптических характеристик светодиодов и светодиодных модулей

    В рамках данного направления проводятся расчеты оптических характеристик светодиодных устройств. Проводится оптимизация конструкции светодиодных устройств с целью снижения потерь оптической мощности и улучшения цветовых характеристик. Рассматриваются различные конструкции светодиодных устройств: светодиодные модули чип-на-плате, корпусированные светодиоды, RGB-светодиоды, светодиоды с удаленным люминофором. Одной из современных реализаций технологии светодиодов является так называемый модуль чип-на-плате (“chip-on-board”, COB). COB представляет собой массив светоизлучающих чипов, размещенных на общей подложке.         Рисунок 1 Экспериментальные образцы модулей чип-на-плате: а) одна линза, б) девять линз, в) и г) кольца, вырезанные лазером         COB демонстрирует ряд преимуществ по сравнению с массивом отдельных светодиодов, собранных в элемент освещения. К этим преимуществам можно отнести снижение производственных затрат, большую оптическую силу и компактность.     Рисунок 2 Модули чип-на-плате с девятью и двадцатью четырьмя чипами с разной формой поверхности оптического покрытия       Другим подходом к улучшению характеристик светодиодов является использование удаленного люминофора. Этот метод обеспечивает высокую световую эффективность и хорошую цветопередачу.   Рисунок 3 Корпусированный светодиод с удаленным люминофором           Рисунок 4 Результаты расчетов корпусированного светодиода с удаленным люминофором разной формы: а) цветовое пространство CIE 1931 и линия цветности абсолютно черного тела, б) распределение интенсивности на приемнике  

    Подложки на основе монокристаллов оксида галлия

    Материал Ga2O3 интересен для УФ-приложений, поскольку является широкозонным полупроводником (4.6−4.7 эВ) с достаточной проводимостью, чтобы говорить о создании на его основе приборов вертикальной геометрии, способных обеспечить наибольшую энергоэффективность. Кроме того оксид галлия как проводящий прозрачный материал в перспективе может решить не только задачу проводящей подложки, но и заместить в конструкции светодиодного чипа другие оксиды, используемые в качестве прозрачных контактов для эффективного вывода света из светодиодных чипов. Группа исследователей во главе с к.ф.-м.н. Николаевым В.И. занимается разработкой технологических процессов в области роста монокристаллов оксида галлия beta-Ga2O3; выяснением закономерностей роста и исследованием свойств выращенных монокристаллов. Выращенный монокристалл оксида галлия beta-Ga2O3 Пластина beta-Ga2O3                                                                           Прозрачность пластин beta-Ga2O3

    Современные материалы с уникальными оптическими и тепловыми свойствами для нового поколения твердотельных источников освещения для замены традиционных люминофоров (композитные материалы, наноструктуры на основе углерода, прозрачные оксиды)

    В рамках данного направления разрабатываются технологии получения новых неорганических люминофоров на основе кристаллических материалов и стеклокерамик. Изображения поверхности образца термостабильного люминофора: SiO2 - PbF2 - PbO(Pb3O4) - AlF3 (40:30:20:10), полученного при температуре 600 0С       А) массовая концентрация люминофора в смеси 80%           Б) массовая концентрация люминофора в смеси 9,1 %     Спектры люминесценции светодиодных модулей с исследуемыми образцами люминофоров 1.1- черная кривая SiO2 – PbF2 - PbO (Pb3O4) - AlF3 (40:30:20:10) ; 1.2- красная кривая SiO2 – PbF2 - PbO (Pb3O4) - AlF3 (40:25:20:15)       А) массовая концентрация люминофора в смеси 80%         Б) массовая концентрация люминофора в смеси 9,1 %      

    Последние публикации Публикации

    2024 год
    • Бауман Д.А.

      Технология сборки (корпусирования) в микроэлектронике - 2024

    • Колесникова А.Л., Nguyen V., Гуткин М.Ю., Романов А.Е.

      Общий подход к расчету упругих характеристик осесимметричных квантовых точек в нитевидных нанокристаллах // Письма в Журнал технической физики - 2024. - Т. 50. - № 6. - С. 28-32

    2023 год
    • Osetrov K., Uspenskaya M., Zaripova F., Olekhnovich R.

      Nanoarchitectonics of a Skin-Adhesive Hydrogel Based on the Gelatin Resuscitation Fluid Gelatinol® // Gels - 2023, Vol. 9, No. 4, pp. 330

    • Rozhkov M.A., Abramenko N.D., Smirnov A.M., Kolesnikova A.N., Romanov A.E.

      Modelling of disclinated phosphorene crystals // Письма о материалах [Letters on Materials] - 2023, Vol. 13, No. 1(49), pp. 45-49

    • Бородкин А.И., Бугров В.Е., Карачинский Л.Я., Колодезный Е.С., Петренко А.А., Романов А.Е., Рочас С.С., Тиходеева Е.О.

      Характеристики источников лазерного и синхротронного излучения - 2023

    • Садыков Д.И., Орлова Т.С.

      Влияние температуры на эффект пластификации и механические свойства ультрамелкозернистого низколегированного сплава Al-Cu-Zr//Сборник тезисов докладов конгресса молодых ученых. Электронное издание. – СПб: Университет ИТМО, [2023]. - 2023

    Информация © 2015-2024 Университет ИТМО
    Разработка © 2015 Департамент информационных технологий